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SSC65T50GT6 - Trench FSII Fast IGBT，具有MOS管高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面優點。該產品為TO-263-3L單管封裝，VCES=650V, VGES=±20V, IC=50A(100℃) ；VGE(th)=4.5V(Typ.)產品工藝為精細溝槽結構，低導通壓降，正溫度系數，低開關損耗，易于并聯使用。主要用于家電、醫美、儲能等變頻、逆變、電機驅動、發光發熱電路的應用。